BD140-16
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STMicroelectronics BD140-16

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型号

BD140-16

utmel 编号

2381-BD140-16

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-225AA, TO-126-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr

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BD140-16 STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr

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BD140-16详情

STMicroelectronics BD140-16重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-225AA, TO-126-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 制造商包装标识符

    SOT-32-0016114E

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    80V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    -500mV

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    1.5A

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    25

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    1.25W

  • 基本部件号

    BD140

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    1.25W

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    -80V

  • 最大集电极电流

    -3A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    40 @ 2V 150MA

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    500mV @ 50mA, 500mA

  • 转换频率

    75MHz

  • 最大击穿电压

    80V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    -80V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -5V

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高度

    13.2mm

  • 长度

    7.8mm

  • 宽度

    2.7mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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