STMicroelectronics BD243C

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

90.718474mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

15

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

65W

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

BD243

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

65W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 3A 4V

最大集极截止电流

700μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1A, 6A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

9.15mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅