STMicroelectronics BD682

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

750

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Power Dissipation (Max)

40W

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-100V

额定电流

-4A

基本部件号

BD682

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

40W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 1.5A 3V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 30mA, 1.5A

转换频率

10MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

4A

宽度

2.7mm

高度

10.8mm

长度

7.8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅