STMicroelectronics BU508AFI

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOWATT-218-3

引脚数

218

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

700V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

700V

最大功率耗散

50W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

8A

频率

7MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BU508

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

50W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

7MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

700V

最大集电极电流

8A

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 2A, 4.5A

转换频率

7MHz

发射极基极电压 (VEBO)

10V

最小直流增益（hFE）

10

VCEsat-最大值

1 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅