STMicroelectronics BUL1203EFP

生命周期状态

NRND (Last Updated: 7 months ago)

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

550V

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

36W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BUL1203

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

36W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

550V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

9 @ 2A 5V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1A, 3A

集电极基极电压(VCBO)

1.2kV

发射极基极电压 (VEBO)

9V

RoHS状态

ROHS3 Compliant