STMicroelectronics BUL58D

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

hFEMin

5

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

85W

基本部件号

BUL58

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

85W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

450V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 5A 5V

最大集极截止电流

200μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 1A, 5A

最大击穿电压

450V

集电极基极电压(VCBO)

800V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

VCEsat-最大值

2 V

宽度

4.6mm

长度

10.4mm

高度

9.15mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅