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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 BUL903ED
BUL903ED
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注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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STMicroelectronics BUL903ED

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型号

BUL903ED

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-BUL903ED

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube

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BUL903ED
BUL903ED STMicroelectronics Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube

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BUL903ED详情

技术参数

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STMicroelectronics BUL903ED重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    400V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    20

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    400V

  • 最大功率耗散

    70W

  • 额定电流

    5A

  • 基本部件号

    BUL903

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    70W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    400V

  • 最大集电极电流

    5A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    20 @ 500mA 3V

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    1V @ 150mA, 1A

  • 集电极基极电压(VCBO)

    900V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    7V

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: STMicroelectronics BUL903ED.

BUL903ED拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

BD139

型号：BD139

封装：TO-225AA, TO-126-3

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型号：TIP127

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型号：BD140-16

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品牌：STMicroelectronics

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型号：TIP147

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