STMicroelectronics BULT118

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

45W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2A

基本部件号

BULT118

元素配置

Single

功率耗散

45W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

250μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 400mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

VCEsat-最大值

1.5 V

关断时间-最大值（toff)

4900ns

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅