STMicroelectronics BUT100

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

125V

Collector-Emitter Saturation Voltage

900mV

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

300W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

基本部件号

BUT100

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

配置

SINGLE

功率耗散

300W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

125V

最大集电极电流

50A

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 10A, 100A

集电极基极电压(VCBO)

200V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

VCEsat-最大值

0.9 V

关断时间-最大值（toff)

2200ns

高度

8.7mm

长度

39.5mm

宽度

26.2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant