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STMicroelectronics BUT30V

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型号

BUT30V

utmel 编号

2381-BUT30V

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 125V 100A ISOTOP

起订量

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BUT30V
BUT30V STMicroelectronics TRANS NPN 125V 100A ISOTOP

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BUT30V详情

STMicroelectronics BUT30V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Nickel

  • 底架

    Chassis Mount, Panel, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 引脚数

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    200V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    700mV

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    27

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 额定直流

    125V

  • 最大功率耗散

    250W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 额定电流

    100A

  • 基本部件号

    BUT30

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    250W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    125V

  • 最大集电极电流

    100A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    27 @ 100A 5V

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    900mV @ 10A, 100A

  • 集电极基极电压(VCBO)

    200V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    7V

  • VCEsat-最大值

    0.9 V

  • 关断时间-最大值(toff)

    2200ns

  • 最大下降时间 (tf)

    200ns

  • 高度

    9.1mm

  • 长度

    38.2mm

  • 宽度

    25.5mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: STMicroelectronics BUT30V.

BUT30V拓展信息

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