STMicroelectronics D45H5

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1V

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

50W

额定电流

-10A

基本部件号

D45H5

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

50W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-45V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 4A 1V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

45V

转换频率

40MHz

集电极基极电压(VCBO)

-5V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

VCEsat-最大值

1 V

高度

6.35mm

长度

25.4mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅