STMicroelectronics ESM2012DV

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

1200

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel (Ni)

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

175W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

120A

基本部件号

ESM2012

引脚数量

4

极性

NPN

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE

功率耗散

175W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

150V

最大集电极电流

120A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1200 @ 100A 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1A, 100A

发射极基极电压 (VEBO)

7V

VCEsat-最大值

2 V

最大下降时间 (tf)

300ns

宽度

25.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅