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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.392535
10
¥3.200509
100
¥3.019347
500
¥2.848438
1000
¥2.687208
STMicroelectronics MJD361T4-A
- 收藏
- 对比
MJD361T4-A
2381-MJD361T4-A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MJD361T4-A详情
STMicroelectronics MJD361T4-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
1
hFEMin
30
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最大功率耗散
15W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
MJD36
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
极性
NPN, PNP
配置
SINGLE
功率耗散
15W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 1A 4V
最大集极截止电流
20μA ICBO
JEDEC-95代码
TO-252AA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
900mV @ 150mA, 3A
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MJD361T4-A拓展信息
















哦! 它是空的。