STMicroelectronics MJD44H11T4-A

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Power Dissipation (Max)

20W

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MJD44

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE

功率耗散

20W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 4A 1V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-252AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

最大击穿电压

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅