STMicroelectronics MJE182

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

12.5W

额定电流

3A

频率

50MHz

基本部件号

MJE182

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

12.5W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.7V @ 600mA, 3A

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

集电极-基极电容-最大值

40pF

高度

11.05mm

长度

7.8mm

宽度

2.9mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅