STMicroelectronics SCT30N120
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SCT30N120
2381-SCT30N120
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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Trans MOSFET N-CH 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
--最小包装量--
SCT30N120详情
STMicroelectronics SCT30N120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
247
质量
38.000013g
Turn Off Delay Time
45 ns
Power Dissipation (Max)
270W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Tc
包装
Tube
操作温度
-55°C~200°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
SCT30
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
175W
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 20A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA (Typ)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1700pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
105nC @ 20V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs(最大值)
+25V, -10V
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
2.6V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
1.2kV
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
SCT30N120拓展信息
STMicroelectronics
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