STMicroelectronics STB155N3LH6

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

3MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB155N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 5V

上升时间

85ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

80A

阈值电压

1V

JEDEC-95代码

TO-252

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

525 mJ

高度

4.6mm

长度

10.75mm

宽度

10.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅