STMicroelectronics STB200NF04T4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

310W Tc

Turn Off Delay Time

140 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.7MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

40V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

120A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB200N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

310W

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7m Ω @ 90A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

210nC @ 10V

上升时间

320ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

120 ns

连续放电电流(ID)

120A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅