STMicroelectronics STB34NM60N

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

29A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

106 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

MDmesh™ II

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

基本部件号

STB34N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 14.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2722pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

84nC @ 10V

上升时间

34ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

29A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.105Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

126A

DS 击穿电压-最小值

600V

栅源电压

3 V

高度

4.6mm

长度

10.75mm

宽度

10.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅