STMicroelectronics STB85NF55LT4

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

系列

STripFET™ II

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

8mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

55V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

80A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB85N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4050pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 5V

上升时间

165ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏源击穿电压

55V

雪崩能量等级（Eas）

980 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅