STMicroelectronics STBV68

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

hFEMin

7

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

900mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

600mA

基本部件号

STBV68

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

900mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

3 @ 250mA 10V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

5V @ 100mA, 250mA

集电极基极电压(VCBO)

600V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅