STMicroelectronics STD127DT4

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

350.003213mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.3V

Number of Elements

1

hFEMin

5

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

35W

终端形式

鸥翼

基本部件号

STD12

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 1A 5V

最大集极截止电流

250μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.3V @ 1A, 4A

最大击穿电压

400V

发射极基极电压 (VEBO)

18V

连续集电极电流

4A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant