STMicroelectronics STD6NK50ZT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Turn Off Delay Time

31 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.2Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

500V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD6N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 2.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

690pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24.6nC @ 10V

上升时间

23.5ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

5.6A

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22.4A

栅源电压

3.75 V

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅