STMicroelectronics STD826T4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最大功率耗散

15W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD826

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE

功率耗散

15W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.1V @ 150mA, 3A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

饱和电流

3A

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant