STE53NC50
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STMicroelectronics STE53NC50

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型号

STE53NC50

utmel 编号

2381-STE53NC50

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

ISOTOP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP

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STE53NC50
STE53NC50 STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP

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STE53NC50详情

STMicroelectronics STE53NC50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount, Panel, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    ISOTOP

  • 引脚数

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    53A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    460W Tc

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PowerMESH™ II

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    80mOhm

  • 电压 - 额定直流

    500V

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 额定电流

    53A

  • 基本部件号

    STE53

  • 引脚数量

    4

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    460W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 接通延迟时间

    46 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    80m Ω @ 27A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    11200pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    434nC @ 10V

  • 上升时间

    70ns

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    38 ns

  • 连续放电电流(ID)

    53A

  • 阈值电压

    3V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    500V

  • 隔离电压

    2.5kV

  • 高度

    9.1mm

  • 长度

    38.2mm

  • 宽度

    25.5mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STE53NC50相似的参数规格。

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