STMicroelectronics STF26N60M2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

30W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STF26

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

165m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

20A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.165Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant