STMicroelectronics STH3N150-2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

23 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

H2PAK-2-8159712

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

基本部件号

STH3N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

140W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9 Ω @ 1.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

939pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29.3nC @ 10V

上升时间

47ns

漏源电压 (Vdss)

1500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

61 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

9Ohm

漏源击穿电压

1.5kV

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

5mm

长度

10.4mm

宽度

15.8mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant