STMicroelectronics STH80N10F7-2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

37 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

36 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VII

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA LOW-ON RESISTANCE

终端形式

鸥翼

基本部件号

STH80N

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.5m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3100pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

32ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0095Ohm

漏源击穿电压

100V

高度

4.8mm

长度

10.4mm

宽度

9.17mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅