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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.713886
10
¥20.484796
100
¥19.325281
500
¥18.231396
1000
¥17.199433
STMicroelectronics STI10NM60N
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- 对比
STI10NM60N
2381-STI10NM60N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STI10NM60N详情
STMicroelectronics STI10NM60N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
70W Tc
Turn Off Delay Time
32 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STI10N
元素配置
Single
功率耗散
70W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
10A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STI10NM60N拓展信息
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