STMicroelectronics STK22N6F3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

PolarPak®

引脚数

10

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

5.2W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

基本部件号

STK22

JESD-30代码

R-XDSO-N4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

5.2W

箱体转运

SOURCE

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 11A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41nC @ 10V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

22A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.006Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

88A

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant