STMicroelectronics STL12N65M5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

48W Tc

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ V

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

基本部件号

STL12

引脚数量

4

JESD-30代码

S-PSSO-N4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

48W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

530m Ω @ 4.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

644pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

13.5 ns

连续放电电流(ID)

8.5A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.43Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7.2A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅