STMicroelectronics STL150N3LLH5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

195A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

114W Tc

Turn Off Delay Time

65.8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ V

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.75mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STL150

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.75m Ω @ 17.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 4.5V

上升时间

30.8ns

Vgs（最大值）

±22V

下降时间（典型值）

47.8 ns

连续放电电流(ID)

17.5A

阈值电压

1.55V

栅极至源极电压(Vgs)

22V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35A

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

300 mJ

高度

950μm

长度

5mm

宽度

6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅