STMicroelectronics STL19N65M5

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A Ta 12.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

11 ns

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 90W Tc

操作温度

150°C TJ

系列

MDmesh™ V

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

215mOhm

端子位置

SINGLE

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL19

JESD-30代码

S-PSSO-N4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

36 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

240m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1240pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

7ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

12.5A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.3A

漏源击穿电压

710V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅