STMicroelectronics STL21N65M5

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 125W Tc

Turn Off Delay Time

37 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ V

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STL21

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

179m Ω @ 8.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1950pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

17A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.7A

漏源击穿电压

650V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅