STMicroelectronics STL42P6LLF6
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STL42P6LLF6
2381-STL42P6LLF6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT
--最小包装量--
STL42P6LLF6详情
STMicroelectronics STL42P6LLF6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
PowerFLAT5x6-A0ER_8231817
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
42A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
100W Tc
Turn Off Delay Time
171 ns
操作温度
175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
STripFET™ F6
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STL42
JESD-30代码
R-PDSO-F5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
4.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
51.4 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
26m Ω @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3780pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
-42A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.034Ohm
漏源击穿电压
-60V
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
1mm
长度
6.35mm
宽度
5.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL42P6LLF6拓展信息
STMicroelectronics
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