STMicroelectronics STL56N3LLH5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

62.5W Tc

Turn Off Delay Time

14.2 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ V

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

9MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STL56

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

62.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.5nC @ 4.5V

上升时间

15.6ns

Vgs（最大值）

+22V, -20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

56A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅