STMicroelectronics STN1NF20

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ II

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

STN1N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

90pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.7nC @ 10V

上升时间

5.6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12.4 ns

连续放电电流(ID)

1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4A

雪崩能量等级（Eas）

70 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅