STMicroelectronics STN4NF06L
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STN4NF06L
2381-STN4NF06L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
--最小包装量--
STN4NF06L详情
STMicroelectronics STN4NF06L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.3W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
70mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STN4N
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
340pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 5V
上升时间
25ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏源击穿电压
60V
雪崩能量等级(Eas)
200 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STN4NF06L拓展信息
STMicroelectronics
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