STMicroelectronics STN83003
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STN83003
2381-STN83003
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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STMICROELECTRONICS - STN83003 - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 1.6 W, 500 mA, 25 hFE
--最小包装量--
STN83003详情
STMicroelectronics STN83003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最大功率耗散
1.6W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STN83
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
元素配置
Single
功率耗散
1.6W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
400V
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
16 @ 350mA 5V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 500mA
最大击穿电压
400V
发射极基极电压 (VEBO)
12V
高度
1.8mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STN83003拓展信息















哦! 它是空的。