STMicroelectronics STP03D200

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

40W

基本部件号

STP03D

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

40W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 30mA 10V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 500μA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

集电极基极电压(VCBO)

2kV

发射极基极电压 (VEBO)

20V

高度

9.15mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅