STMicroelectronics STP17N62K3

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

91 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH3™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

280mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩能源评级

基本部件号

STP17N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

190W

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2500pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

94nC @ 10V

上升时间

26ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

63 ns

连续放电电流(ID)

15.5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

620V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅