STMicroelectronics STP3N62K3

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

45W Tc

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH3™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.5Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

基本部件号

STP3N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

45W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 Ω @ 1.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

385pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

6.8ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15.6 ns

连续放电电流(ID)

2.7A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

620V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10.8A

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

栅源电压

3.75 V

高度

15.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅