STMicroelectronics STP50NF25

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

63 ns

Power Dissipation (Max)

160W Tc

Number of Elements

1

系列

STripFET™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

69MOhm

基本部件号

STP50N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

160W

接通延迟时间

45 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

69m Ω @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2670pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68.2nC @ 10V

上升时间

26ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

22A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

45A

漏源击穿电压

250V

双电源电压

250V

栅源电压

3 V

高度

15.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅