STMicroelectronics STP52N25M5

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ V

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA LOW-ON RESISTANCE

端子位置

SINGLE

基本部件号

STP52N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1770pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 10V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

64 ns

连续放电电流(ID)

28A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

漏源击穿电压

250V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

112A

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant