STMicroelectronics STS11NF30L

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

11A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS11

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5m Ω @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 5V

上升时间

39ns

Vgs（最大值）

±18V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

11A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

18V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

高度

1.25mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅