STMicroelectronics STS13N3LLH5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.7W Tc

Turn Off Delay Time

22.7 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ V

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

6.6MOhm

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

STS13

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

接通延迟时间

9.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.6m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

上升时间

14.5ns

Vgs（最大值）

+22V, -20V

下降时间（典型值）

4.5 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

22V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅