STMicroelectronics STS7NF60L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

Turn Off Delay Time

47 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

19.5mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

7.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS7N

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19.5m Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 4.5V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

7.5A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

雪崩能量等级（Eas）

350 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1 V

高度

1.75mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅