STMicroelectronics STU2NK100Z

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.85A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

41.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STU2N

引脚数量

4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

接通延迟时间

7.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5 Ω @ 900mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

499pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

6.5ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

32.5 ns

连续放电电流(ID)

1.85A

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

1kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7.4A

高度

6.9mm

长度

6.6mm

宽度

2.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant