STMicroelectronics STU4N80K5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

36 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH5™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

基本部件号

STU4N

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

175pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.5nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

74.5 mJ

高度

6.2mm

长度

6.6mm

宽度

2.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅