STMicroelectronics STU8NM50N

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

45W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STU8N

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

790m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

364pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

上升时间

4.4ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

8.8 ns

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.79Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

140 mJ

高度

6.9mm

长度

6.6mm

宽度

2.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅